2奈米競賽 傳三星在美搶先機
韓國《ZDNET》報導,三星電子預計明年第一季在美國德州泰勒(Taylor)廠啟動2奈米晶片量產,目標是在這項尖端製程上搶先台積電一步。然而,良率問題仍可能成為三星野心的一大絆腳石。
據傳三星計畫在平澤(Pyeongtaek)第二廠區建置1.4奈米生產線,恐延遲至2028年。報導稱,三星近日已加快泰勒廠的建設進度,將原定的4奈米生產線規劃改為2奈米製程。該廠目前正在進行無塵室施工,並已進入設備挑選階段,一些供應商預計將於明年初進場部署。
隨著AI應用對高效能晶片的需求激增,三星希望藉由成為第一家在美國量產2奈米晶片的廠商,重新搶占市場主導地位,並吸引美國本土科技巨頭合作。外界也認為,三星此舉可能有助於獲得美國政府政策支持,特別是在中美科技對抗加劇的背景下。
然而,三星在2奈米製程上的最大挑戰,仍是良率問題。據報導,台積電目前的2奈米良率約為60%,相較之下三星良率僅約40%。雖然三星在3奈米製程已率先導入環繞閘極(GAA)技術,但如何提升良率,仍是成功關鍵。
此次2奈米競賽不僅是技術對決,更是市場與地緣政治的角力。台積電在美國亞利桑那州設廠多年,與蘋果、輝達等科技大廠關係密切。三星則希望藉由泰勒廠的在地化優勢,贏回失去的客戶,擴大美國市占率。
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