光刻技術新進展：解析光刻膠微觀行為

【新方法“透視”光刻膠微觀行爲 可顯著減少芯片光刻缺陷】10月24日訊，光刻技術是推動集成電路芯片製程工藝持續微縮的核心驅動力之一。近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面分佈與纏結行爲，指導開發出可顯著減少光刻缺陷的產業化方案。相關論文近日刊發於《自然·通訊》。（科技日報）