安森美推出新型垂直氮化鎵功率半導體技術

【安森美推出垂直氮化鎵功率半導體】10月31日訊，10月31日，安森美半導體(ON.O)宣佈推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體。據介紹，對於超高壓器件，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）採用GaN-on-GaN技術，使電流能夠垂直流過芯片，而不是沿表面橫向流動。這一方案降低能量損耗和熱量，損耗減少近50%。目前安森美向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。