SK海力士研發高帶寬存儲技術的最新進展

【SK海力士正研發高帶寬存儲（HBS）】11月11日訊，據業內人士透露，SK海力士正在研發高帶寬存儲（HBS）技術，該技術最多可堆疊16個DRAM和NAND閃存模塊，並通過垂直導線扇出（VFO）連接，從而提高數據處理速度，有望讓未來的智能手機和平板電腦具備更強大的AI算力。（ETNews）