三星電子提升DRAM技術以增強市場競爭力

【三星電子擬增大DRAM尺寸以提升HBM4性能】2月27日訊，據報道，三星電子正集中精力提高1cDRAM的良率，同時搶佔HBM4市場份額。具體而言，三星電子決定增大其第六代10nm級DRAM芯片的尺寸，從而同時提升DRAM和HBM4的穩定性。（界面）