三星與英偉達攜手推進新一代NAND閃存技術的研究

【三星據悉與英偉達合作加速研發下一代NAND閃存】3月13日訊，據報道，三星電子正在與英偉達合作加速開發下一代NAND閃存芯片。由三星半導體研究所、英偉達及佐治亞理工學院組成的聯合研究團隊，成功開發出一種“物理信息神經算子”模型。該模型分析鐵電基NAND設備性能的速度，比現有模型快逾萬倍，相關成果已對外公佈。基於相關研究成果，三星正與英偉達合作開發和商業化鐵電NAND閃存。