【三星電子確認HBM5將採用2納米GAA工藝 速度較HBM4

【三星電子確認HBM5將採用2納米GAA工藝 速度較HBM4E提升50%以上】7月27日訊，三星電子半導體事業部技術開發室長具子鉉表示，預計下一代HBM5內存的運行速度將比HBM4E快50%以上，“HBM5基礎芯片將採用GAA結構的2納米工藝，並實現更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子鉉稱，三星電子將基於在4納米HBM4基礎芯片上獲得的經驗和技術競爭力，提前在HBM5中引入2納米工藝，並拓展與移動、HBM、AI、HPC、汽車電子、機器人等領域的客戶合作，引領半導體生態系統進一步發展壯大。