【三星正爲英偉達開發8層HBM4E】8月31日訊，據韓國媒體

【三星正爲英偉達開發8層HBM4E】8月31日訊，據韓國媒體報道，三星電子正配合英偉達(NVDA.O)要求開發8層第七代高帶寬存儲器（HBM4E），較原計劃的12層、16層方案顯著降低堆疊高度，英偉達提出的速度規格爲17-18Gbps，較三星初期HBM4E 14.4Gbps的樣品速度高出約20%，該產品據報將用於NVHBM。