【長鑫G5量產 通用DRAM工藝逼近國際一線】9月21日訊，

【長鑫G5量產 通用DRAM工藝逼近國際一線】9月21日訊，9月20日，長鑫科技宣佈第五代DRAM工藝平臺G5進入量產階段。此舉標誌著國產通用DRAM在理論工藝密度上已實質性追平國際一線水平，並顯著增強長鑫科技在主流市場的成本競爭力與定價話語權。G5平臺通過四重曝光技術在DUV體系下實現極限挖潛，使存儲位密度較上一代提升50%，每片晶圓裸片產出大幅增加。在當前存儲景氣上行、供給偏緊的窗口期，這一躍升爲長鑫科技導入國產旗艦手機供應鏈提供了堅實底氣。在DDR5、LPDDR5X等通用領域，長鑫科技已具備參與全球成本競爭的實力。此外，隨著基於G5平臺的擴產推進，國產半導體設備佔比有望超過40%，將直接拉動刻蝕、薄膜沉積等環節的設備採購需求，爲上游核心供應商帶來確定的業績增量。（一財）