AI把存儲芯片“喫空”了：美光警告短缺遠未結束

英偉達(NVDA.O)供應商美光科技(MU.O)表示，持續的存儲芯片短缺在過去一個季度進一步加劇，並重申由於AI基礎設施所需的高端半導體需求激增，這一緊張局面將持續到今年之後。

美光運營執行副總裁馬尼什·巴蒂亞（Manish Bhatia）在上週五接受採訪時表示：“我們目前看到的短缺情況確實前所未有。”就在採訪前不久，這家芯片製造商剛剛在紐約州錫拉丘茲市郊爲一處總投資1000億美元的生產基地舉行了奠基儀式，這也強化了公司在去年12月給出的類似預測。

巴蒂亞表示，爲AI加速器提供支持所需的高帶寬存儲器，正在“消耗整個行業中大量可用產能，從而在手機或個人電腦等傳統領域造成了巨大的短缺”。

他補充稱，個人電腦和智能手機制造商已經加入排隊行列，試圖在2026年之後鎖定存儲芯片供應，而自動駕駛汽車和人形機器人也將進一步推高對這些組件的需求。

據媒體報道，小米集團(1810.HK)、OPPO以及深圳傳音控股(688036.SH)等多家中國主要智能手機廠商，因存儲成本上升，正在下調2026年的出貨目標，其中OPPO的下調幅度最高可達20%。

行業研究機構Counterpoint Research在去年12月估計，由於存儲芯片短缺推高成本並擠壓產能，今年全球智能手機出貨量可能下降2.1%。包括戴爾科技(DELL.N)在內的個人電腦製造商也警告稱，可能會受到這輪持續短缺的影響。

受AI熱潮推動，全球存儲芯片行業三巨頭，包括美光、SK海力士和三星電子，在2025年股價大幅上漲。SK海力士表示，其2026年的芯片產能已全部售罄，而美光也稱其面向AI的存儲半導體今年同樣已經滿產。

爲優先向包括英偉達在內的戰略性企業客戶供貨，美光在去年12月表示，將結束旗下頗受歡迎的Crucial品牌消費級存儲業務。AI行業對存儲芯片近乎無止境的需求，也令美光加快了其在美國和亞洲的製造擴張步伐。

上週六，美光科技宣佈以18億美元現金收購力積電位於臺灣銅鑼的P5晶圓廠。這一舉措將顯著縮短美光新工廠投產所需的時間。公司表示，將在2027年下半年開始實現DRAM晶圓的實質性產出。

DRAM爲英偉達和英特爾(INTC.O)等公司生產的複雜處理器提供運行環境，是高帶寬存儲器的核心組成部分，直接關係到AI加速器能否實現最佳性能。

巴蒂亞在上週五的採訪中表示：“我們在亞洲工廠所做的，將是持續向下一代技術過渡。”另一方面，他補充稱，新增晶圓產能幾乎將全部佈局在美國。

美光位於錫拉丘茲附近、總投資1000億美元的項目計劃建設4座DRAM晶圓廠，每座廠房的面積約相當於10個足球場。首批晶圓預計將在2030年前後下線。

這家美國芯片製造商還將在博伊西現有研發設施旁新增相當於兩座晶圓廠的產能。其中，第一座愛達荷州晶圓廠計劃於2027年投產，第二座工廠也正在規劃之中。此外，公司還在對弗吉尼亞州的一處現有製造基地進行現代化改造和擴建。

上述計劃均是美光承諾將其40%的DRAM製造轉移至美國本土的一部分。這一目標得以實現，得益於公司在2024年獲得的62億美元《芯片法案》補貼，以及在建設期間可享受最高35%的稅收抵免政策。