“這輪不一樣”，德銀看好美光衝向500美元
德意志銀行的一位分析師表示，這一輪存儲器週期“與以往不同”，這可能意味著美光科技(MU.O)的股價還將迎來更大漲幅。
德意志銀行的梅麗莎·韋瑟斯（Melissa Weathers）表示，動態隨機存取存儲器（DRAM）的供應將持續緊張至2027年並延續至2028年，尤其是在AI熱潮推動高帶寬存儲器需求大幅增長的背景下。
HBM是通過堆疊DRAM製造而成，對於英偉達(NVDA.O)等公司設計的先進AI芯片至關重要。美光科技是全球領先的HBM生產商之一，其他主要廠商還包括韓國的SK海力士(000660.KS)和三星電子(005930.KS)。
與傳統DRAM相比，HBM的“硅用量”約爲其三倍，韋瑟斯在週二的一份報告中表示，這意味著其需要更多用於切割芯片的晶圓。她稱，這種高強度使用“正在引發我們認爲仍未被充分理解的供應衝擊”。供應緊張使得美光科技等公司得以上調產品價格，並與客戶簽訂長期合同。
與此同時，韋瑟斯表示，新建DRAM晶圓廠至少需要兩年時間才能投產，而現有設施目前也難以擴產以緩解需求緊張。不過，她指出，隨著新增產能投放，供應約束可能在明年有所緩解。
韋瑟斯認爲，這些動態因素將爲美光科技帶來“更具結構性盈利能力的環境”，她將該股目標價上調至500美元，較週一收盤價仍有約30%的上漲空間。
美光科技股價週二下跌0.8%，延續了週一的跌勢。此前有報道稱，美光的存儲芯片競爭對手三星電子計劃於本月晚些時候開始爲英偉達即將推出的Vera Rubin圖形處理單元生產其下一代HBM4產品，引發投資者擔憂。
韋瑟斯預計，到本十年末，DRAM每比特（即每單位數據存儲容量）的需求複合年增長率將超過15%。其中，HBM比特需求在同期的年複合增長率預計將超過30%。
她表示，其模型“反映出AI加速器公司對HBM比特的爆發式增長需求”，這些公司需要先進存儲器以支持更大、更復雜的AI模型。新一代AI模型擁有更長的上下文窗口，這意味著它們需要一次性處理更多數據。
在短期內，韋瑟斯表示，終端客戶將在難以獲取更多產品的情況下依賴現有的存儲器庫存。她還指出，未來也存在“需求破壞”的可能性，即DRAM價格上漲推高整體物料清單成本，達到終端客戶難以承受的水平。
