台積挺輝達 擬產3D DRAM

美國科技媒體《The Information》引述知情人士報導，台積電應最大客戶輝達的要求，已開始研擬生產3D DRAM的計畫。若後續成功推動此計畫，有望使台積電進一步擴大在AI硬體供應鏈的布局，改變目前由三星、SK海力士及美光主導的記憶體市場。

針對這項報導，台積電與輝達目前均未回應。華邦電董事長焦佑鈞個人則推測，若要投入記憶體產業，首先須思考技術從何而來，台積電與既有記憶體大廠有深厚合作關係，也是觀察此事的重要因素。

業界分析，從競爭條件看，傳統DRAM多採鞍鰭（Saddle Fin）等埋入式閘極結構，三星、SK海力士與美光長期投入，累積專用製程、量產及成本優勢，台積電若投入既有規格，須建立不同於邏輯晶片的製造流程，也須承擔記憶體價格循環，商業誘因相對有限。

　部分3D DRAM技術路徑涉及多層材料堆疊、蝕刻及三維結構控制，與奈米片（Nanosheet）製程具共通基礎。台積電累積的奈米片及三維整合經驗，有望降低切入門檻，若搭配輝達需求，也可能形成客製化記憶體商機。

　業界人士認為，台積電若進一步投入，除須處理與既有記憶體夥伴的合作關係，能否將技術成果轉化為穩定產出，並建立具競爭力的每位元成本，是決定布局效益的關鍵。

知情人士透露，台積電正評估兩種方式，一是興建專門生產先進記憶體晶片的新廠，另一種則是收購現有晶圓廠，再將設備與產線改造為記憶體生產用途。尚不清楚台積電可能何時會啟動生產，也未確定最終將採取何種方案。

現時AI資料中心建置潮使記憶體市場供需失衡，供應短缺推升晶片價格，促使輝達、蘋果等大型科技公司積極尋找替代供應管道。美光今年3月同意以18億美元，收購力積電位於台灣的一座晶圓廠，計劃改造為先進記憶體生產基地，反映業者正透過擴充既有產能因應需求。

不過，台積電若正式進軍先進記憶體市場，將面臨不同於晶圓代工業務的挑戰。現階段記憶體市場主要由三星電子、SK海力士及美光主導，且記憶體產業具有明顯的景氣循環特性，供需變化往往牽動價格與業者獲利。

此外，台積電雖在垂直式DRAM技術方面持有相關專利，但從技術研發走向穩定的大規模量產，仍須克服良率與製程等挑戰。台積電過去也曾與SK海力士達成合作協議，負責生產新一代HBM產品的基礎邏輯晶粒，若自行投入記憶體製造，未來與既有合作夥伴間的競合關係值得關注。

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