中國製首台光刻機出爐，晶片差距縮小？【群益獨家觀點】

schedule 2025/12/22 09:01:20

陸港股指數收盤表現

盤面看法

上週五，陸港股大多反彈，但目前A50走向仍偏橫盤整理，建議耐心等待市場給出方向訊號。

港股部分較受國際氛圍影響，恆生科技指數上周五反彈逾1%，但目前日均線仍為空頭排列，觀察後續市場情緒是否明顯轉樂觀。

日前，傳出中國造出國產首台光刻機，但目前仍停留在研發早期階段，雖官方目標為2028年量產，但根據研究顯示，2030年實現量產的可能性較高。目前中國尚未消除與全球最先進半導體製造的結構性差距，不過可看出中美科技脫鉤與科技自主的決心。

中國製首台光刻機出爐，晶片差距縮小？

EUV原型機是重大進展

日前中國已研製出一台EUV 極紫外光刻機原型系統，代表在尖端半導體製程上取得實質性技術進展，但仍屬實驗室層級里程碑，不代表已具備加速先進製程量產的能力。

尚未實現「跨越式創新」

中國此一項目 沿用艾司摩爾（ASML）的既有技術路徑，採用標準的「雷射誘導電漿體（LPP）」方案，即每秒約5萬次雷射轟擊錫滴產生EUV光。
這條路徑正是ASML 花費數十年才逐步克服光學、光源功率與穩定性等瓶頸的技術難關。

EUV 最棘手的核心瓶頸

產生極紫外光僅是必要條件，真正的商業化需滿足光源功率、穩定運轉時間與產率等關鍵指標。

EUV 設備要具備經濟意義，需達到約 250 瓦的穩定純淨功率輸出。
為提升功率，中國原型機體積遠大於 ASML 現役設備，顯示其仍以「粗放堆疊」方式補足性能，距離量產所需的效率與可靠性仍有顯著差距。
目前深圳原型機未披露上述核心數據，顯示其尚未成為經過驗證的製造能力，與實際晶片量產仍有顯著落差。