長鑫儲存傳4F²架構突破，恒科跌回兩年前水平【群益獨家觀點】

10⽉13⽇恒⽣指數先跌後漲、恒⽣科技指數表現則明顯落後⼤盤，昨⽇AI硬體、半導體及記憶體股承受較⼤賣壓，⽬前指數位階已接近兩年前政策轉向的⽔平；A股同樣呈現先跌後穩⾛勢，板塊⽅⾯航運及⽯油股表現較強，短期市場焦點仍在AI硬體估值、記憶體產業變化及後續政策刺激⼒度。另⼀⽅⾯，中國記憶體⼤廠⻑鑫儲存積極布局4F²架構，計畫年底推出DDR5伺服器產品，若順利量產，將提升DRAM密度並縮⼩與三星、SK海⼒⼠及美光的技術差距，不過，4F²仍⾯臨製程、良率及HBM供應不⾜等限制，雖⻑鑫儲存傳出技術突破，但A50指數內並不包含⻑鑫，雖仍可帶動相關科技股但對於A50指數的助益較不直接

 

長鑫儲存傳4F²架構突破

中國記憶體⼤廠⻑鑫儲存計畫在今年底前推出採⽤⾃主研發新架構的DRAM產品，鎖定資料中⼼伺服器市場，並採⽤「4F²」設計。若能順利實現，將代表CXMT在DRAM單元縮放技術上可能領先三星電⼦與SK海⼒⼠。消息公布後，三星、SK海⼒⼠股價分別重挫7.4%及10%，美光也下跌4%，反映市場對中國記憶體技術快速追趕的⾼度關注。

4F²量產仍待驗證

⽬前業界主流DRAM採⽤6F²設計，三星與SK海⼒⼠正積極研究縮減⾄4F²，以在更⼩⾯積容納更多記憶體單元。⻑鑫儲存則透過改變電晶體布局，引入垂直環繞閘極（VSG）技術，並將記憶體單元與周邊電路分別製造於不同晶圓，再利⽤混合鍵結技術整合，不過，4F²涉及製程架構重⼤改變，現有製造流程無法直接沿⽤，公司仍需重新設計關鍵製程並改善效能與功耗，若技術成功商業化，記憶體密度有望提升約30%，成為⻑鑫儲存縮⼩與國際⼤廠技術差距的重要突破，因此⻑鑫若能在今年底推出產品，時程將明顯提前。

中國記憶體擴張改變全球供需與價格結構？

市場真正關注的並非產品推出本⾝，⽽是4F²能否達到穩定良率並⼤規模量產。若⻑鑫存儲成功將先進架構導入DDR5伺服器市場，不僅可加速其市占率提升，也可能進⼀步擴⼤中國DRAM供給，尤其在AI帶動記憶體需求、供給偏緊及價格⾼漲之際，若⻑鑫新增⼤量先進DRAM產能，市場可能重新評估供需平衡與價格趨勢，並對全球記憶體業者的⽑利率形成潛在壓⼒。不過⻑鑫儲存的進展顯⽰中國記憶體產業正持續提升⾃主化能⼒，但短期內尚不⾜以撼動三星、SK海⼒⼠及美光在⾼頻寬記憶體（HBM）的主導地位。4F²架構從技術驗證到⼤規模量產仍⾯臨良率與製程穩定性的挑戰，真正關鍵在於能否維持⼀致良率並形成商業化供應。CXMT⽬前在全球DRAM市占率已由⼀年前的4%升⾄今年第⼆季約10%，若4F²順利量產，將進⼀步強化其在全球記憶體市場的競爭⼒。

極紫外光光刻機(EUV)仍是中國發展的限制

由於美中科技競爭關係，使EUV獲取管道受到限制，企業被迫採⽤成本較⾼的DUV多重圖案化技術，⽽先進封裝產能有限疊加國產HBM供應稀缺，中國本⼟在「AI 邏輯晶片製造」與「HBM ⾼頻寬記憶體供應」之間的產能出現嚴重失衡問題，舉例來說中芯國際7nm AI 邏輯晶片產能接近500 萬顆，⽽⻑鑫儲存HBM供應能⼒約幾⼗萬顆晶片所需份量，顯⽰中國國產HBM尚未形成⼤規模商業供應，因此⻑鑫儲存若有量產仍主要以中國國內為主，短期內較難⼤規模供應給中國以外的廠商。

 

恒科跌回兩年前水平

2024年9⽉中國推出⼤規模刺激政策後，恒⽣科技指數⼀度⼤幅反彈，⾄2025年10⽉⾼點累計漲幅達94%，但2026年以來回落約24%，⽬前距離「924」政策起點僅剩約7%，幾乎回到原點。中⾦公司指出，恒科可視為「⼤號版消費指數」，超過70%權重集中於互聯網、電動⾞、電商及消費電⼦，因此與中國內需及居⺠信⽤周期⾼度相關。近期企業、科技及出⼝部⾨仍具韌性，但居⺠信⽤脈衝⾃今年3⽉起已低於924⽔平，形成明顯的K型經濟分

財政重⼼轉向科技，消費與居⺠端⽀持減弱

2026年整體財政⼒度與2025年⼤致持平，但政策資源明顯由居⺠消費轉向科技與產業，導致企業信⽤持續改善，居⺠信⽤卻進⼀步⾛弱。市場表現也呈現強烈分化，2024年9⽉以來，通訊設備、半導體及電⼦設備均上漲逾⼀倍，但部分消費板塊跌幅超過30%；恒科盈利增⻑亦相當有限。這反映經濟成⻑未必能直接轉化為股東回報，過度競爭、產能投資及槓桿上升可能壓縮企業利潤率與資本回報率

估值具吸引⼒，但反彈仍待居⺠信⽤改善

⽬前恒科估值與市場情緒已具⼀定吸引⼒，但僅靠估值偏低不⾜以形成持續漲勢，後續關鍵仍在居⺠信⽤周期能否實質回升，或出現類似「924」政策刺激及「DeepSeek時刻」的重⼤催化劑。換⾔之，若消費與居⺠資產負債表未明顯修復，港股仍可能維持科技強、消費弱的K型格局。港股⽬前較接近階段性低位，⽽非歷史性⼤底，持續且全⾯的⾏情仍需要盈利與內需同步改善