國內研究團隊在半導體光刻技術上的新突破

【國內團隊破解芯片光刻缺陷難題？研究者回應】10月27日訊，近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者撰寫的一篇論文發表在《自然·通訊》上，引起了廣泛關注。這篇論文將冷凍電子斷層掃描技術（Cryo-ET）引入半導體領域，通過該技術在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面分佈與纏結行爲，並指導開發出可顯著減少光刻缺陷的產業化方案。該論文提出的方案，能使光刻技術在減少圖案缺陷方面取得大於99%的改進。彭海琳在接受採訪時表示，該研究成果可直接用於半導體制造，技術方案可行，與現有的裝備兼容。（一財）