陝西科研團隊在半導體散熱技術上取得重大進展

【陝西科研團隊攻克芯片散熱世界難題】1月17日訊，1月13日，據西安電子科技大學消息，該校郝躍院士團隊突破了20年的半導體材料技術瓶頸，讓芯片散熱效率與綜合性能實現飛躍性提升，爲解決各類半導體材料高質量集成問題提供了可複製的中國範式。相關成果日前發表在國際頂級期刊《自然·通訊》和《科學進展》上。 西安電子科技大學副校長、教授張進成稱，“熱量散不出去可能導致芯片性能下降甚至器件燒燬。” 團隊創新性地在第三代半導體芯片晶體上注入高能離子，讓晶體成核層表面變得光滑。這一突破將半導體熱阻降至原來的三分之一，解決了第三代乃至未來半導體芯片面臨的散熱難題。 同時，該項突破讓半導體器件性能大幅提升。（陝西發佈）