天成半導體研製14英寸碳化硅單晶材料的最新進展

【天成半導體成功研製14英寸碳化硅單晶材料】3月29日訊，據太原日報消息，近日，中北高新區企業天成半導體繼12英寸雙突破後，依託自主研發設備成功研製出14英寸碳化硅單晶材料，有效厚度達30毫米。14英寸碳化硅單晶材料主要應用於碳化硅部件，即以碳化硅及其複合材料爲主要材料的設備零部件。