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2026-03-30
三星電子推進NAND閃存技術升級進程
【三星電子開始量產236層NAND閃存】3月30日訊，三星電子已完成西安工廠工藝升級的第一階段，逐步淘汰了傳統的128層（V6）NAND閃存，並已開始量產236層（V8）產品。目前，三星電子正在籌劃進一步的升級，預計將於今年完成向286層（V9）NAND閃存的過渡。（ETNews）
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