三維多層片上電容技術的突破與應用前景

【我國成功研製出三維多層片上電容，可直接應用於AI/GPU芯片、高性能處理器等高端芯片】6月12日訊，據湖北江城實驗室消息，該實驗室近期在電容關鍵技術上取得重大突破，成功研製出三維多層片上電容，電容密度突破每平方毫米1000納法。該電容可直接應用於AI/GPU芯片、高性能處理器等高端芯片，支撐高算力、低功耗芯片研發。目前，相關技術正在開展工藝流片及小批量試產，將在先進封裝領域實現規模化應用。電容在電路中的作用，本質上是一個超微縮的“蓄水池”：當芯片電流劇烈波動時，能迅速充放電以平抑電壓，確保芯片喫上“純淨且穩定”的電流。電容在算力系統中也被比喻爲“電RAM”：HBM是算力的數據緩衝，電容則是算力的能量緩衝。要在GPU瞬時拉滿功率時供得上電，必須依靠從納秒到秒級的多級電力緩存逐級接力。