三星電子展示業界最小3D堆疊晶體管技術

【三星電子展出業界最小3D堆疊晶體管】6月17日訊，近日，三星電子實現了業界最小的3D堆疊晶體管。在最近於美國舉行的VLSI 2026上，該公司展示了其在實現柵極間距爲42nm的3D堆疊場效應晶體管(3D堆疊FET)方面取得的成果，該技術將晶體管垂直堆疊而非放置在平面上，預計將應用於系統半導體領域。