三星電子未來DRAM量產計劃概述

【媒體：三星電子計劃明年年底進行下一代DRAM首批量產】6月17日訊，據韓國媒體ZDNET報道，三星電子下一代DRAM量產計劃正逐漸明朗。據瞭解，三星電子目前正與多家合作伙伴聯合開發用於第七代10納米級（1d）DRAM量產的設備，目標最早於明年第二季度引進相關設備，最快明年年底進行首批量產。1d DRAM是指線路寬度約爲10至11納米（nm）的DRAM產品。目前已實現商業化的最新一代產品——第六代10納米級（1c）DRAM——線寬約爲11至12納米。隨著線寬進一步縮小，DRAM的性能和能效也將得到提升。