【面向2.5D/3D先進封裝 長電科技高深寬比TSV研發取得

【面向2.5D/3D先進封裝 長電科技高深寬比TSV研發取得突破】8月19日訊，今日，長電科技宣佈，公司在高深寬比先進TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技術研發方面取得重要進展，並與合作伙伴共同完成樣品試製。長電科技的TSV製備方案面向2.5D/3D先進封裝、硅基互連和多維異質異構集成等高端先進封裝應用，旨在進一步增強公司在微系統集成平臺中的關鍵底層工藝能力，爲高算力、高存力芯片的系統級集成提供更加完整、靈活的一站式製造支撐。