迎輝達新晶片 台積SoIC備戰

輝達GTC 2026再釋AI產業新藍圖，2027年將推出強化版Rubin Ultra，整個平台將由七顆晶片、五種機架規格組成；2028年次世代架構Feynman（費曼）也浮上檯面，採用客製化HBM，並導入更高密度的Chiplet設計與3D堆疊。半導體業界分析，SoIC（系統整合晶片）將成台積電未來滿足客戶需求的關鍵技術，透過晶粒（Die）垂直堆疊，大幅提升電晶體密度，突破摩爾定律限制。

　設備業者盤點，台積電先進封裝SoIC主力位於竹南AP6，台中AP5B亦有產能加入支援；先進封裝大本營AP7現則以蘋果WMCM專線為主要建置重點，第二季二廠也將開始進機。法人點名弘塑、均華將是最大受惠業者，其中弘塑今年月產能目標將上看20台。

　輝達AI晶片藍圖正進入Rubin Ultra世代，預計2028年導入Feynman架構。半導體業者指出，迭代過程的晶片尺寸與HBM整合數量持續放大，封裝複雜度顯著提升；尤其是Rubin Ultra單顆晶片可整合多顆運算Die與大量HBM，使單一封裝產出效率下降，也凸顯3D堆疊技術重要性。

　Feynman世代將是關鍵轉折點，預期將大幅提高SoIC用量。SoIC採用銅對銅混合鍵合（Hybrid Bonding），可將多顆晶粒垂直堆疊，實現更短距離互連與更低功耗，成突破AI算力瓶頸核心技術。相較目前主流2.5D封裝CoWoS，SoIC具備更高頻寬與更佳能效，尤適用下一代AI推論與訓練晶片。

　供應鏈指出，台積電預計2026年建立約1萬至1.5萬片SoIC月產能，持續擴充以支應2027年後來自NVIDIA、博通與AMD等客戶需求；法人估SoIC單位資本支出遠高於CoWoS，每萬片產能投資達68至70億美元，顯示其技術門檻與戰略重要性。

　設備業者透露，SoIC製程高度仰賴前段設備與混合鍵合技術，相關設備廠Besi、Applied Materials與東京威力科創優先受惠；台廠以弘塑、均華、志聖等在濕製程與設備領域具備切入機會。

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