外溢效應發威 聯電世界先進迎轉單

台積電製程布局加速汰舊換新，據供應鏈指出，台積電28奈米主要生產基地Fab 15A月產能投片規模相較年初減少逾25％。晶片業者推測，台積電規劃更多28奈米產能支援Interposer（中介層），淡出低毛利訂單，部分客戶將尋求聯電、世界先進協助。

　供應鏈觀察，今年初台積電28奈米月投片量20萬片，惟6月已降至15萬片；顯示台積電將目光轉向更具戰略價值之先進製程。其中，A14先進製程生產基地台中Fab 25如火如荼進行，P1廠區已有土建進度完成。

　業界指出，28奈米仍是顯示驅動IC、電源管理IC、微控制器、網通晶片及車用晶片的重要節點，市場需求不會快速消失。不過，台積電資本支出重心已轉向2奈米、A14及先進封裝，成熟製程擴產態度相對保守。當台積電逐步收斂28奈米供給，客戶為降低供應風險，將增加第二供應來源，具備成熟製程產能及特殊製程平台的聯電、世界先進有機會受惠。

　其中，聯電擁有完整28奈米平台，並持續推進22奈米製程，可承接OLED顯示驅動、Wi-Fi、網通、消費性及車用晶片訂單。若台積電將更多資源轉向12奈米以下節點，聯電將是28奈米客戶尋求長期產能保障時的主要替代選項。世界先進目前以8吋為主，不過近期新加坡12吋廠加速趕工，準備承接台積電外溢訂單。

　隨GPU晶片面積逐漸逼近光罩極限，台積電將SoIC三維堆疊列為下一階段重點，透過向上堆疊SRAM及I/O晶粒，突破單一晶片面積與記憶體頻寬限制。矽光子方面，COUPE光引擎規格朝3.2T推進，每毫米頻寬達0.5Tbps，約傳統1.6T光模組的2.5倍，後續技術路線將由每通道200G升級至400G、單排轉為雙排光纖陣列，並由單波長擴展至多波長。

　法人分析，台積電同步進行兩項調整，一方面收斂28奈米產能，將客戶導向12奈米；另方面大舉投入2奈米、A14、SoIC及矽光子。將有助台積電提高資本使用效率與平均晶圓售價，也為聯電及世界先進創造承接成熟製程訂單的空間，台灣晶圓代工市場分工將更加明確。（相關新聞見A3）

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