SK海力士再押注美國製造：Solidigm擬在美東建NAND

SK海力士(SKHY.O)旗下美國存儲公司Solidigm正在評估在美國建設NAND閃存生產基地，紐約州北部已成爲領先候選地區。

若項目最終落地，這將成爲Solidigm在美國的首個NAND量產基地，也是SK海力士將美國佈局從先進封裝進一步延伸至存儲芯片前端製造的重要一步。

路透社週五援引三名知情人士報道稱，Solidigm正在考慮建設這座工廠，但項目目前仍處於評估階段。SK海力士隨後表示，Solidigm正在研究多種增強業務競爭力的方案，尚未作出最終決定。現有公開信息尚未披露投資規模、規劃產能、開工時間和預計量產時間。

紐約州北部成爲領先候選地

與路透社披露的紐約州北部方案相比，韓國媒體給出的選址範圍更寬。首爾經濟日報和朝鮮Biz均稱，Solidigm正在研究美國東部的候選地點及建廠條件，目標是建立NAND量產線。韓國ZDNet進一步報道稱，公司正在討論廠址、投資及量產安排等具體事項，但相關方案仍沒有進入最終確定階段。

Solidigm目前在美國設有總部和研發業務，但NAND製造主要集中在大連。如果美國項目實施，公司將首次在其本土市場擁有NAND前端量產能力。Solidigm官網顯示，該公司是在SK海力士2021年底收購英特爾SSD和NAND業務後成立，目前作爲一家總部位於美國、相對獨立運營的SK海力士子公司開展業務。

這一項目與SK海力士近期同英特爾討論的美國存儲芯片生產合作並非同一計劃。路透社本週稍早報道稱，SK海力士正與英特爾進行初步磋商，研究利用英特爾俄亥俄州工廠生產存儲芯片的可能性，討論方案包括租用部分產能，或引入英特爾及大型雲計算企業組建合資安排。雙方尚未確定具體合作模式。

按照路透社週五最新披露，Solidigm自行建設NAND工廠是一條獨立推進的路徑。這也表明，SK海力士正在同時研究自建產能和利用現有美國晶圓廠資源等不同方式，擴大其在美國的存儲芯片製造能力。

美國佈局已從HBM先進封裝向前端製造延伸

SK海力士在美國已經啓動一項超過40億美元的投資，在印第安納州西拉法葉建設AI存儲相關生產基地。SK集團週四發佈的信息顯示，該項目包括先進封裝生產線和研發測試平臺，主要服務高帶寬存儲器（HBM），是SK海力士現階段美國製造佈局中最明確的項目之一。

HBM和NAND在產業鏈中的功能不同。HBM主要滿足AI加速器對高帶寬數據傳輸的需求，NAND則大量應用於服務器和數據中心的持久化存儲。Solidigm的核心業務集中在企業級SSD，產品廣泛面向數據中心及AI基礎設施，因此新的NAND工廠如果實施，將對應晶圓製造環節，與印第安納州的先進封裝項目形成不同的業務分工。

存儲需求快速增長是此次評估的重要行業背景。路透社稱，持續增加的AI數據中心投資正在造成存儲芯片供應緊張。首爾經濟日報援引Counterpoint Research數據稱，今年第二季度全球NAND市場收入環比增長約70%，同期NAND價格上漲約55%；數據中心對高容量企業級SSD的需求成爲本輪增長的重要來源。

美國製造壓力與AI需求同時上升

Solidigm評估美國工廠之際，美國政府正在繼續推動半導體制造本土化。路透社報道稱，特朗普政府正向包括韓國芯片企業在內的海外製造商施壓，要求其擴大美國生產；SK海力士此前開始研究與英特爾合作，同樣發生在美韓就投資和貿易條件持續磋商期間。

對Solidigm而言，新建美國NAND工廠還涉及生產成本、供應鏈佈局和現有製造體系調整。路透社稱，美國製造成本高於亞洲生產基地，加上美韓之間的投資與貿易談判仍在進行，SK海力士目前對進一步擴大美國前端製造投資保持謹慎。公司對外回應也繼續將該項目界定爲“評估方案”，而非已經批準的資本支出計劃。

截至週五，能夠確認的進展仍停留在選址和投資方案研究階段。紐約州北部處於候選位置前列，但Solidigm尚未宣佈最終廠址，也未公佈投資金額、晶圓產能及量產時間表；與英特爾俄亥俄州工廠的合作討論則作爲另一項獨立方案繼續推進。