聯電星、台擴產 資本支出加碼

聯電29日宣布，董事會通過分階段擴產計畫，啟動新加坡、台南雙軌擴產，將擴建新加坡第四期（P4）廠區無塵室產能，並同步於台南科學園區興建新晶圓廠，工程期約20個月，預計2028年至2029年間陸續完成。為支應相關投資，公司將2026年資本支出上調至20億美元，約新台幣648.34億元。

聯電表示，此次擴產採取台灣、新加坡雙軌並進方式，一方面滿足客戶近期產能需求，另一方面提前建立中長期產能布局，以掌握AI、高速運算及先進技術市場商機。相關投資將分階段推進，並依客戶長期承諾與實際需求配置設備，在提升擴產速度與彈性的同時，兼顧資本紀律及投資報酬率。

聯電董事長洪嘉聰指出，生成式AI快速發展，正重塑全球科技產業格局，並加速推升市場對高效能、高頻寬及高度系統整合技術的需求。此次擴產計畫將透過兼顧速度、彈性與資本紀律的策略，確保聯電能持續因應市場及客戶需求變化。

在新加坡布局方面，聯電將於P4廠區建置無塵室並採購生產設備，主要用於擴充矽光子等先進技術產能。由於該廠區廠房外殼已經完工，有助縮短產能開出時間，快速回應客戶需求。

聯電指出，新加坡是公司在台灣以外最大的生產基地，P4廠區擴建完成後，除將提升矽光子量產製造能力，也可強化海外產能布局及供應鏈韌性，支援客戶對地理多元化生產的需求。在台灣部分，聯電將於台南科學園區興建一座全新晶圓廠房，作為未來第七期（P7）及第八期（P8）廠區的基地。初期將先進行廠房外殼工程，後續再依市場需求及客戶訂單分階段導入設備，降低一次性大幅擴產帶來的折舊壓力。

聯電表示，台南新廠將進一步強化台灣作為公司全球製造及前瞻研發核心基地的地位，並擴大先進封裝及相關特殊製程布局。透過提前完成廠房建置，公司未來可在需求明朗時迅速導入設備，縮短產能建置週期。

先進封裝也是此次擴產的重要方向。聯電表示，未來AI晶片將更多採用Chiplet、異質整合、邏輯與記憶體堆疊等架構，客戶需要的不再只是單一晶圓製造服務，而是涵蓋晶圓、矽中介層及封裝整合的完整解決方案。

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